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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
15.0
17.5
写入速度,GB/s
10.1
12.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3283
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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