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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.0
18.4
写入速度,GB/s
10.1
14.3
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3158
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
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