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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

总分
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 58
    左右 38% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11% 更高的带宽
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.5 left arrow 15
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 18.5
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2657 left arrow 1998

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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