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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
比较
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
54
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
37
读取速度,GB/s
15.7
15.8
写入速度,GB/s
11.6
13.5
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
3075
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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