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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
11.6
13.6
写入速度,GB/s
7.3
9.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2625
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
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