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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
101
左右 62% 更低的延时
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.7
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
101
读取速度,GB/s
10.9
12.1
写入速度,GB/s
6.6
6.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
1382
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
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