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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
12.3
22.7
写入速度,GB/s
8.1
18.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
4202
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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