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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.8
8.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
14900
10600
左右 1.41% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
9.8
8.6
写入速度,GB/s
7.2
6.3
内存带宽,mbps
14900
10600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
1512
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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