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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
差异
规格
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差异
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.7
22.0
写入速度,GB/s
9.3
16.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
3830
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston FQ453-80003 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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