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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.6
15.1
写入速度,GB/s
8.2
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
3095
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
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