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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB

总分
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 126
    左右 67% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 3.1
    测试中的平均数值
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 126
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 5.0
  • 写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 3.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1484 left arrow 704

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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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