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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
11.7
14.8
写入速度,GB/s
8.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2825
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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