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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
12.3
18.7
写入速度,GB/s
7.8
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3834
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
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