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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
44
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
42
读取速度,GB/s
12.3
15.6
写入速度,GB/s
7.8
11.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2595
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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