SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

总分
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 42
    左右 -62% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.2 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.6 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 14900
    左右 1.43 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    42 left arrow 26
  • 读取速度,GB/s
    12.8 left arrow 16.2
  • 写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 12.6
  • 内存带宽,mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 2955
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较