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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,018.7
17.4
写入速度,GB/s
1,711.1
13.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2912
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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