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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

总分
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.3
    测试中的平均数值
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    50 left arrow 65
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.9 left arrow 1,711.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 50
  • 读取速度，GB/s
    4,018.7 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    1,711.1 left arrow 10.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    513 left arrow 2512

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
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内存RAM
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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内存RAM
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Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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