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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
66
左右 -247% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
19
读取速度,GB/s
2,929.1
20.7
写入速度,GB/s
2,978.2
16.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3724
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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