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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,929.1
15.6
写入速度,GB/s
2,978.2
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2783
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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