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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,723.5
19.9
写入速度,GB/s
2,076.1
15.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3785
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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