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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,723.5
11.2
写入速度,GB/s
2,076.1
7.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2266
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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