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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

总分
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 59
    左右 -90% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 2,076.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    4,723.5 left arrow 11.7
  • 写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 6.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    741 left arrow 1763

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
内存RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
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内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Kingston XK2M26-MIE 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
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