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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
62
左右 -226% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
19
读取速度,GB/s
4,216.7
20.9
写入速度,GB/s
1,658.4
15.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
3801
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
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