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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
60
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
34
读取速度,GB/s
5,082.2
19.7
写入速度,GB/s
2,381.6
16.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3700
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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