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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
44
左右 -159% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
17
读取速度,GB/s
14,740.4
21.2
写入速度,GB/s
8,883.4
17.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3714
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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