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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
14,740.4
16.6
写入速度,GB/s
8,883.4
12.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2969
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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