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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
66
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8,883.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
66
读取速度,GB/s
14,740.4
16.5
写入速度,GB/s
8,883.4
9.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
1934
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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