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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
49
读取速度,GB/s
12.3
9.8
写入速度,GB/s
7.3
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2277
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
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