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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
9.4
17.7
写入速度,GB/s
5.5
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3266
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
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