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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
9.4
16.2
写入速度,GB/s
5.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2938
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601S2LS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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