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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
28
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
18
读取速度,GB/s
9.4
21.4
写入速度,GB/s
5.5
18.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3625
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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