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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
9.4
14.0
写入速度,GB/s
5.5
9.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2221
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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