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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

差异 规格 评论

差异

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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 28
    左右 -12% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 10.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 2686

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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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