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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
9.4
15.4
写入速度,GB/s
5.5
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2676
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
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