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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 28
    左右 -17% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 2900

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较

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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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内存RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
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Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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