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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

总分
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

总分
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Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

差异 规格 评论

差异

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 17.8
    测试中的平均数值
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 63
    左右 -186% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.4 left arrow 1,447.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 5300
    左右 4.02 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    3,231.0 left arrow 17.8
  • 写入速度，GB/s
    1,447.3 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    478 left arrow 3036

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较

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Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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内存RAM
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内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
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