Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

总分
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 17.7
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 68
    左右 -162% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.0 left arrow 1,944.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 5300
    左右 4.02 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    68 left arrow 26
  • 读取速度,GB/s
    3,973.0 left arrow 17.7
  • 写入速度,GB/s
    1,944.9 left arrow 14.0
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    673 left arrow 3017
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较