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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
29
读取速度,GB/s
15.0
20.2
写入速度,GB/s
13.9
15.7
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3559
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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