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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
87
左右 -263% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
24
读取速度,GB/s
3,155.6
19.5
写入速度,GB/s
870.4
16.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3718
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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