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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
13.2
写入速度,GB/s
870.4
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2820
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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