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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
16.9
写入速度,GB/s
870.4
14.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3316
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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