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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
17.5
写入速度,GB/s
870.4
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3693
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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