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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
87
左右 -263% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
24
读取速度,GB/s
3,155.6
16.6
写入速度,GB/s
870.4
12.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2969
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Kingston X6TCK6-MIE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
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