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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
16.4
写入速度,GB/s
870.4
13.1
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3310
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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