RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
12.0
写入速度,GB/s
870.4
5.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1925
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link