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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
15.6
写入速度,GB/s
1,590.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2982
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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