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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
53
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
39
读取速度,GB/s
3,726.4
13.2
写入速度,GB/s
1,590.1
9.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2489
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
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