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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
74
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
74
读取速度,GB/s
3,726.4
14.3
写入速度,GB/s
1,590.1
7.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
1779
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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INTENSO 5641152 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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