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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
65
读取速度,GB/s
12.5
16.8
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2042
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
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