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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.5
14.1
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2388
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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